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电力电子产品 价格：元

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Product Specification

ItemsValues/Scope
SubstrateSi
Wafer diameter100mm,150mm,200mm,300mm
Epi-layer thickness 2-7μm
Wafer bow<30 μm, Typical
Surface MorphologyRMS<0.5nm in 5×5 μm²
Barrier

AlxGa1-xN, 0<X<1

Cap layerIn-situ SiN or GaN (D-mode); p-GaN (E-mode)
2DEG density

>9E12/cm² (20nm Al0.25GaN, 150mm)

Electron mobility

>1800 cm²/Vs (20nm Al0.25GaN, 150mm)

200mm GaN-on-Si Epiwafer

Defect MappingVertical Breakdown Behavior


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1637803929204434.png


Sheet Resistance MappingWafer Bow Mapping


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