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  南京纳弧科技于2010年成立，核心团队由新加坡科技创新型高级专家组成。公司以提供高品质、高性能的4/6/8寸的硅衬底/外延片、SOI衬底片、碳化硅衬底/外延片、氮化镓衬底/外延片，实现低碳绿色的世界为愿景。
  南京纳弧科技专注于半导体材料研发和销售，产品涉及4/6/8寸的硅衬底/外延片、SOI衬底片、碳化硅衬底/外延片、氮化镓衬底/外延片。
● 硅（100）衬底与外延片：4/6/8寸；厚度300µm-1mm；B掺杂/As、P掺杂浓度；用于硅功率电子器件（MOSFET/IGBT）制备；（支持厚度和浓度定制）；
● 硅SOI材料：4/6/8寸；用于高速集成电路、MEMS等制备；（支持厚度定制）；
● SOS（Si-on-Sapphire）材料：4/6/8寸；用于高速集成电路、MEMS等制备；（支持厚度定制）；
● 硅（111）衬底片：4/6/8寸；厚度625µm-1mm-1.25µm；B掺杂；用于硅基氮化镓HEMT外延；（支持厚度和浓度定制）；
● 硅基氮化镓HEMT外延片：厚度4µm-6µm；二维电子气浓度8E12-1E13cm-2;迁移率>2000cm2/Vs；用于650V功率器件；（支持材料结构定制）；
● 氮化镓单晶衬底片：2/4/6寸；HVPE厚膜生长；厚度350µm-430µm-500µm；用于氮化镓外延同质生长，如氮化镓蓝绿激光器材料等。
● 4H-SiC衬底片和外延片： 4/6寸；p型Al掺杂；支持材料结构定制；用于600V-1200V-1700-3000V等碳化硅MOSFET器件制备；（支持材料结构定制）；
  公司产品主要应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。
  公司产品支持定制、欢迎咨询、合作共赢。