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关于我们

  南京纳弧科技于2010年成立,核心团队由新加坡科技创新型高级专家组成。公司以提供高品质、高性能的4/6/8寸的硅衬底/外延片、SOI衬底片、碳化硅衬底/外延片、氮化镓衬底/外延片,实现低碳绿色的世界为愿景。
  南京纳弧科技专注于半导体材料研发和销售,产品涉及4/6/8寸的硅衬底/外延片、SOI衬底片、碳化硅衬底/外延片、氮化镓衬底/外延片。
● 硅(100)衬底与外延片:4/6/8寸;厚度300µm-1mm;B掺杂/As、P掺杂浓度;用于硅功率电子器件(MOSFET/IGBT)制备;(支持厚度和浓度定制);
● 硅SOI材料:4/6/8寸;用于高速集成电路、MEMS等制备;(支持厚度定制);
● SOS(Si-on-Sapphire)材料:4/6/8寸;用于高速集成电路、MEMS等制备;(支持厚度定制);
● 硅(111)衬底片:4/6/8寸;厚度625µm-1mm-1.25µm;B掺杂;用于硅基氮化镓HEMT外延;(支持厚度和浓度定制);
● 硅基氮化镓HEMT外延片:厚度4µm-6µm;二维电子气浓度8E12-1E13cm-2;迁移率>2000cm2/Vs;用于650V功率器件;(支持材料结构定制);
● 氮化镓单晶衬底片:2/4/6寸;HVPE厚膜生长;厚度350µm-430µm-500µm;用于氮化镓外延同质生长,如氮化镓蓝绿激光器材料等。
● 4H-SiC衬底片和外延片: 4/6寸;p型Al掺杂;支持材料结构定制;用于600V-1200V-1700-3000V等碳化硅MOSFET器件制备;(支持材料结构定制);
  公司产品主要应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。
  公司产品支持定制、欢迎咨询、合作共赢。

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