近日，士兰微与厦门市政府、厦门市海沧区政府签署了《8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》，计划总投资120亿元，在厦门市海沧区建设一条以SiC-MOSEFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，一期投资规模约70亿元，二期投资规模约50亿元。两期建设完成后，将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
士兰微表示，本次投资事项建设周期较长，对上市公司当期业绩无重大影响。不过，该项目的实施将为士兰集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目”的建设和运营提供资金保障，有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力，有利于抓住当前新能源汽车产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。
当前，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域对碳化硅功率器件的需求不断增长。然而，碳化硅产业的发展仍面临供应不足等问题。此次士兰微与厦门市政府的合作，将有助于缓解碳化硅产业的供应压力，推动碳化硅技术的发展和应用。